总体简介

我于新加坡国立大学获博士学位，曾任职新加坡科技研究局（A*STAR）、希捷新加坡总部等国际科研机构。已发表 40 余篇 SCI 论文，拥有 3 项专利、1 项软件著作权，主持的图像缺陷多分类项目成果突出。近年深耕人工智能（含大模型技术）应用开发，多次入选《世界名人录》（Who’s Who），现为 IEEE 高级会员，2023-2024 年先后获评省级及国家级人才。

个人简历

1997.03-2002.07，新加坡国立大学，获理学博士学位，师从Ong Chong Kim 教授。

(1) 2002.08-2014.03, 新加坡数据存储研究所, 研究员。

(2) 2018.07-2022.12, 希捷新加坡设计中心（SSDC）, 资深数据科学家。

(3) 2024.04-至今, 德清县浙工大莫干山研究院, 首席科学家。

荣誉与学术兼职：

(1). 入选2023年省级人才（浙江省）

(2). 入选2024年国家级人才

论文、项目与专利等成果

（精选5篇以内论文+精选5项以内项目+精选5项以内专利）

论文

(1). Li Wang and Guchang Han, “The Respective Effects of the Free Layer Thickness and Width on the Downtrack and Crosstrack Responses of Read Heads”, IEEE Transactions on Magnetics 48, 3727-3730, (2012).  

(2). L. Wang, G. C. Han, Y. K. Zheng, and B. Liu, “Simulation and stability analysis of current and transverse field effects on spin transfer noise”, IEEE Trans. Magn. 43, 2313-2315 (2007).

(3). L. Wang, J. J. Qiu, W. J. McMahon, K. B. Li, and Y. H. Wu, “Nano-oxide-layer insertion and specular effects in spin valves: Experiment and theory”, Phys. Rev. B 69, 214402-1-14 (2004).

(4). L. Wang, W. J. McMahon, B. Liu, Y. H. Wu, and C. T. Chong , “Interface or Bulk Scattering in the Semiclassical Theory for Spin Valves”, Physical Review B 69: 214403-1-21440311 (2004).  

(5). L. Wang, H. S. Lim, and C. K. Ong, “Upper critical fields and order parameters of layered superconductors in a continuous Ginzburg–Landau model”, Supercond. Sci. Technol. 14, 754 -761 (2001).

项目:

(1). 希捷云计算系统智能运维，2021.02-2022.12：应用类ChatGPT（大模型）技术，提高了云计算系统预警报错的准确性与及时性。

(2). AFM图像缺陷检测（深度学习模型），2020.04-2020.10：提出并实现了新颖的方案，解决了不平衡的AFM图像类，在GPU上训练模型，得到的模型具有非常高的准确度及F1分数，提高了产品的良率。

(3). 硬盘装配器件3D重建及剩余寿命估计，2018.10-2020.03：开发3D模型，基于3D模型预测了器件剩余使用寿命（RUL），延长了器械使用寿命，优化了器械设计。

(4). 真空压强异常检测，2018.11-2020.03：开发了时序数据预测模型，估计了剩余使用寿命，解决了数据的平均值漂移问题，开发的算法较为准确地预测了异常压强。

(5). 仓库AGV负载优化，2016.06-2016.12：提出并实现了新颖的算法，找到了最优的负载储存时的缓冲区域。

专利:

(1). G. C. Han, J. J. Qiu，L. Wang, W. K. Yep, C. C. Wang, SG178945，WO2011028185, US20120225322，US8659853：Sensor Arrangement.

(2). B. Chao, K. Cai, K. S. Chan, Z. Y. Ching, M. R. Elidrissi, G. C. Han, Z. M. He, P. Hla Nu, J. F. Hu, W. Hua, Q. Jiang, S. H. Leong, W. Z. Lin, B. Liu, Y. S. Ma, C. L. Ong, J. Z. Shi, C. S. Soh, S. S. Tan, L. Wang, C. L. Wong, W. Y. XI, K. L. Yong, S. K. Yu, Y. Q. Yu, Z. M. Yuan, J. L. Zhang, T. J. Zhou, P. Alexopoulos, B. Santoso, Q. D. Zhang, K. Sundaravadivelu, N. Y. Liu, J. Q. Mou, C. W. Lee, K. Gan, B. L. I. See, L. Gonzaga, W. K. Lim, M. J. Liu, V. Venkatakrishnan, C. P. Tan, US20150146322，US9202512：Data Storage Device.

(3). H. Meng, G. C. Han, L. Wang, B. Liu, US20110058408：Memory Cell Arrangements; Memory Cell Reader; Method for Determining a Memory Cell Storage State.